Navitas受邀“上汽大众”路演 创新型氮化镓技术脱颖而出 - 汽车电子 - 电子发烧友网

氮化镓GaN功率IC为电动汽车和混合动立体H5模板
力车提供显著的尺寸和效率优势。

加利福尼亚州EL SEGUNDO—（PRWeb） – Navitas Semiconductor纳微半导体今天宣布受邀参加上汽大众站“WinnovaTIon：Wins In InnovaTIon”路演，该路演于2019年6月28日举行，由上海国际汽车城主办。路演重点关注汽车行业的四个新兴领域：人工智能（AI），网络集成，新能源和信息共享。历经两个月三轮审查，14个项目团队被选出并分为五组：自动驾驶，智能网络，新能源汽车，产品优化和用户体验优化。

Navitas Semiconductor的创新型氮化镓（GaN）技术团队在数百家竞争对手中脱颖而出，并与上汽大众总部的汽车专家和工程师进行了技术讨论。Navitas Semiconductor纳微半导体（中国）区总经理查莹杰（Charles ZHA）表示：“非常感谢上汽大众和上海汽车城的邀请。通过此次活动，Navitas有机会与SAIC大众汽车技术专家就新能源汽车的发展趋势进行沟通，并展示了Navitas的GaNFast技术。

在WinnovaTIon路演中，Navitas Semiconductor纳微半导体应用工程师李宾（Bin LI）博士介绍了用于电动汽车和混合动力车的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器技术：“GaN FET，GaN驱动和GaN逻辑的集成使工程师可以更轻松地通过简单的EMI解决方案进行高频功率转换，同时新的热优化可实现更高功率的设计。使用GaNFast技术，可将能量损耗降低30％，同时开关速度提高3-5倍，减小30％的尺寸和重量，使得车辆实现更快的速度和更长的里程。